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单相BJT晶体管 - 预偏置 / NSVMUN5234T1G
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: NSVMUN5234T1G
- 厂商: onsemi(安森美)
- 类别: 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装: Axial
- 描述: Transistor Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R
- 库存地点: 内地
- 库存: 11356
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳:Axial
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件包装:Axial
- Package:Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max):100 mA
- 厂商:onsemi
- Product Status:活跃
- 包装:Bulk
- 系列:Military, MIL-R-10509/7, RN55
- 操作温度:-65°C ~ 175°C
- 尺寸/尺寸:0.090 Dia x 0.240 L (2.29mm x 6.10mm)
- 容差:±0.5%
- 零件状态:活跃
- 终止次数:2
- 温度系数:±50ppm/°C
- 电阻:16.9 kOhms
- 组成:Metal Film
- 功率(瓦特):0.125W, 1/8W
- 失败率:--
- 功率 - 最大:202 mW
- 晶体管类型:NPN - Pre-Biased
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
- 最大集极截止电流:500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):250mV @ 1mA, 10mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
- 电阻基(R1):22 kOhms
- 电阻-发射极基极(R2):47 kOhms
- 特征:Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety
- 座位高度(最大):--
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