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单MOSFET晶体管 / APL602J
- 价格 起订量
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- 型号： APL602J
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： HC-49/US
- 描述： MOSFET N-CH 600V 43A ISOTOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：HC-49/US
- 表面安装：NO
- 引脚数：4
- 供应商器件包装：ISOTOP®
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package：Bulk
- 厂商：Suntsu Electronics, Inc.
- Product Status：活跃
- Base Product Number：APL602
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：43A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：12V
- Power Dissipation (Max)：565W (Tc)
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 2.5mA
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：ISOTOP
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APL602J
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Drain Current-Max (ID)：43 A
- Part Package Code：ISOTOP
- Risk Rank：5.28
- 操作温度：-30°C ~ 85°C
- 系列：SXTHM2
- 尺寸/尺寸：0.524 L x 0.197 W (13.30mm x 5.00mm)
- JESD-609代码：e1
- 类型：兆赫晶体
- 端子表面处理：锡银铜
- 附加功能：UL 认证
- 子类别：FET 通用电源
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 频率：30 MHz
- 频率稳定性：±25ppm
- JESD-30代码：R-PUFM-X4
- 资历状况：不合格
- ESR（等效串联电阻）：30 Ohms
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 负载电容：18pF
- 操作模式：Fundamental
- 箱体转运：ISOLATED
- 频率容差：±25ppm
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- Rds On(Max)@Id,Vgs：125mOhm @ 21.5A, 12V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：9000 pF @ 25 V
- 漏源电压 (Vdss)：600 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：43 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.125 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：172 A
- DS 击穿电压-最小值：600 V
- 雪崩能量等级（Eas）：3000 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：565 W
- 场效应管特性：-
- 座位高度(最大)：0.177 (4.50mm)
- 达到SVHC：compliant
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