单相BJT晶体管 / 2N3879

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型号： 2N3879
厂商： MICROCHIP(美国微芯)
类别：单相BJT晶体管
封装： TO-213AA, TO-66-2
描述： Trans GP BJT NPN 75V 7A 3-Pin(2 Tab) TO-66
库存地点：内地
库存： 118
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
安装类型：通孔
包装/外壳：TO-213AA, TO-66-2
表面安装：NO
引脚数：2
供应商器件包装：TO-66 (TO-213AA)
终端数量：2
晶体管元件材料：SILICON
Transistor Polarity：NPN
Package：Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)：7 A
Base Product Number：2N3879
厂商：微芯片技术
Product Status：活跃
Emitter- Base Voltage VEBO：7 V
Pd - Power Dissipation：35 W
Maximum Operating Temperature：+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2 V
Unit Weight：0.634459 oz
Minimum Operating Temperature：- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
Mounting Styles：通孔
Gain Bandwidth Product fT：-
Manufacturer：Microchip
Brand：Microchip Technology / Atmel
Maximum DC Collector Current：7 A
RoHS：N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max：75 V
Package Style：FLANGE MOUNT
Package Body Material：METAL
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：200 °C
Rohs Code：无
Transition Frequency-Nom (fT)：40 MHz
Manufacturer Part Number：2N3879
Package Shape：ROUND
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Risk Rank：5.07
Part Package Code：TO-66
操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
系列：-
包装：Tray
JESD-609代码：e0
无铅代码：无
ECCN 代码：EAR99
端子表面处理：锡铅
子类别：Transistors
技术：Si
端子位置：BOTTOM
终端形式：PIN/PEG
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：unknown
JESD-30代码：O-MBFM-P2
资历状况：不合格
配置：Single
箱体转运：COLLECTOR
功率 - 最大：35 W
极性/通道类型：NPN
产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型：NPN
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 500mA, 5V
最大集极截止电流：4mA
JEDEC-95代码：TO-213AA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.2V @ 400mA, 4A
电压 - 集射极击穿（最大值）：75 V
频率转换：-
集电极基极电压(VCBO)：120 V
最大耗散功率(Abs)：35 W
集电极电流-最大值(IC)：7 A
最小直流增益（hFE）：12
连续集电极电流：7
集电极-发射器电压-最大值：75 V
产品类别：Bipolar Transistors - BJT