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单MOSFET晶体管 / APT8024JLL
- 价格 起订量
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- 型号： APT8024JLL
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-227-4, miniBLOC
- 描述： Trans MOSFET N-CH 800V 29A 4-Pin SOT-227
- 库存地点： 内地
- 库存： 9000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：SOT-227-4, miniBLOC
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：ISOTOP®
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Continuous Drain Current Id：29
- Package：Tube
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：29A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：460W (Tc)
- Product Status：Obsolete
- Pd - Power Dissipation：460 W
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：螺钉安装
- Rds On - Drain-Source Resistance：240 mOhms
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Manufacturer Package Code：ISOTOP
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT8024JLL
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.14
- Part Package Code：ISOTOP
- Drain Current-Max (ID)：29 A
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：POWER MOS 7®
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 类型：MOSFET
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- 子类别：Discrete Semiconductor Modules
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PUFM-X4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：460
- 箱体转运：ISOLATED
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：240mOhm @ 14.5A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：4670 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：160 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：800 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：29 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.24 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：116 A
- DS 击穿电压-最小值：800 V
- 信道型：N
- 雪崩能量等级（Eas）：2500 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：460 W
- 场效应管特性：-
- 产品：功率MOSFET模块
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