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片式SMD电阻 / CRGV2010F1M33
- 价格 起订量
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- 型号： CRGV2010F1M33
- 厂商： TE Connectivity(美国泰科)
- 类别： 片式SMD电阻
- 封装： 48-DIP (0.600, 15.24mm)
- 描述： RES SMD 1.33M OHM 1% 1/2W 2010
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：48-DIP (0.600, 15.24mm)
- 供应商器件包装：48-SIDE BRAZED
- Memory Types：Volatile
- Package：Tape & Reel (TR)
- Base Product Number：CRGV2010
- 厂商：TE Connectivity 无源产品
- Product Status：活跃
- Voltage, Rating：3 kV
- Case Code - in：2010
- Case Code - mm：5025
- Maximum Operating Temperature：+ 125 C
- Unit Weight：0.001199 oz
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：4000
- Mounting Styles：PCB 安装
- Part # Aliases：3-1879537-8
- Manufacturer：TE Connectivity
- Brand：TE Connectivity / Holsworthy
- RoHS：Details
- 操作温度：-55°C ~ 125°C (TA)
- 系列：--
- 包装：Tube
- 尺寸/尺寸：0.197 L x 0.098 W (5.00mm x 2.50mm)
- 容差：±1%
- 零件状态：活跃
- 终止次数：2
- 温度系数：±200ppm/°C
- 类型：通用型
- 电阻：1.33 MOhms
- 组成：厚膜
- 功率(瓦特)：0.5W, 1/2W
- 子类别：Resistors
- 技术：SRAM - Dual Port, Asynchronous
- 电压 - 供电 ：4.5 V ~ 5.5 V
- 基本部件号：IDT7140
- 终端样式：SMD/SMT
- 失败率：-
- 内存大小：8Kb (1K x 8)
- 访问时间：55ns
- 内存格式：SRAM
- 内存接口：Parallel
- 写入周期时间 - 字符、页面：55ns
- 产品类别：厚膜电阻器
- 产品：贴片厚膜电阻器
- 特征：-
- 产品类别：Thick Film Resistors - SMD
- 座位高度(最大)：-
- 宽度：2.5 mm
- 高度：0.55 mm
- 长度：5 mm
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