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单相BJT晶体管 / JANTX2N4150
- 价格 起订量
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- 型号： JANTX2N4150
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- 描述： Trans GP BJT NPN 70V 10A 3-Pin TO-5
- 库存地点： 内地
- 库存： 37
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- 供应商器件包装：TO-5
- Transistor Polarity：NPN
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：10 A
- Base Product Number：2N4150
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Emitter- Base Voltage VEBO：10 V
- Pd - Power Dissipation：1 W
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：50 at 1 A, 5 VDC
- Collector-Emitter Saturation Voltage：600 mV
- Unit Weight：0.242420 oz
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：通孔
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip / Microsemi
- Maximum DC Collector Current：10 A
- DC Current Gain hFE Max：200 at 1 A, 5 VDC
- RoHS：N
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：70 V
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：Military, MIL-PRF-19500/394
- 包装：Bulk
- 温度系数：200 ppm/°C
- 电阻：270 kOhm
- 子类别：Transistors
- 额定功率：0.125 W
- 技术：Si
- 电阻器类型：通用型
- 配置：Single
- 功率 - 最大：1 W
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 5A, 5V
- 最大集极截止电流：10µA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：2.5V @ 1A, 10A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：70 V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：100 V
- 电阻公差：1
- 连续集电极电流：10
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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