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BJT 晶体管阵列 / JANTX2N6987
- 价格 起订量
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- 型号： JANTX2N6987
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 14-DIP (0.300, 7.62mm)
- 描述： Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 14-Pin TO-116
- 库存地点： 内地
- 库存： 31
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 触点镀层：Lead, Tin
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：14-DIP (0.300, 7.62mm)
- 表面安装：NO
- 引脚数：14
- 终端数量：14
- 晶体管元件材料：SILICON
- Transistor Polarity：Quad PNP
- Schedule B：8541100080, 8541290080, 8541290080/8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60 V
- Number of Elements：4
- RoHS：Non-Compliant
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Pd - Power Dissipation：1.5 W
- Maximum Operating Temperature：+ 200 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400 mV
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Mounting Styles：通孔
- Gain Bandwidth Product fT：-
- Manufacturer：Microchip
- Brand：Microchip / Microsemi
- Maximum DC Collector Current：600 mA
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：60 V
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：600mA
- Base Product Number：2N6987
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Package Style：IN-LINE
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Operating Temperature-Min：-65 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Rohs Code：无
- Manufacturer Part Number：JANTX2N6987
- Package Shape：RECTANGULAR
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.2
- Part Package Code：DIP
- 包装：Bulk
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：Military, MIL-PRF-19500/558
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 最高工作温度：200 °C
- 最小工作温度：-65 °C
- HTS代码：8541.29.00.95
- 子类别：Transistors
- 最大功率耗散：1.5 W
- 技术：Si
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：not_compliant
- 引脚数量：14
- 参考标准：MIL-19500/558D
- JESD-30代码：R-XDIP-T14
- 资历状况：Qualified
- 极性：PNP
- 配置：Quad
- 功率耗散：1.5 W
- 功率 - 最大：1.5W
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：PNP
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：4 PNP (Quad)
- 集电极发射器电压(VCEO)：60 V
- 最大集电极电流：600 mA
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 150mA, 10V
- 最大集极截止电流：10µA (ICBO)
- JEDEC-95代码：TO-116
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.6V @ 50mA, 500mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：60V
- 频率转换：-
- 集电极基极电压(VCBO)：60 V
- 发射极基极电压 (VEBO)：5 V
- 集电极电流-最大值(IC)：0.6 A
- 最小直流增益（hFE）：50
- 连续集电极电流：600
- 集电极-发射器电压-最大值：60 V
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
- 无铅：含铅
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