简体中文
图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / APT30F60J
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： APT30F60J
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： SOT-227-4, miniBLOC
- 描述： MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP
- 库存地点： 内地
- 库存： 45
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：SOT-227-4, miniBLOC
- 安装类型：底座安装
- 底架：Chassis Mount, Screw
- 表面安装：NO
- 引脚数：4
- 供应商器件包装：ISOTOP®
- 质量：30.000004 g
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 2.5mA
- Product Status：活跃
- Power Dissipation (Max)：355W (Tc)
- 厂商：微芯片技术
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：31A (Tc)
- Base Product Number：APT30F60
- Package：Tube
- Schedule B：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- Number of Elements：1
- RoHS：Compliant
- Turn Off Delay Time：145 ns
- Package Description：ISOTOP-4
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：UNSPECIFIED
- Manufacturer Package Code：ISOTOP
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT30F60J
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Microsemi Corporation
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：1.52
- Part Package Code：ISOTOP
- Drain Current-Max (ID)：31 A
- 系列：POWER MOS 8™
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 无铅代码：有
- 零件状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 附加功能：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
- 最大功率耗散：355 W
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- JESD-30代码：R-XUFM-X4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 通道数量：1
- 元素配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：355 W
- 箱体转运：ISOLATED
- 接通延迟时间：48 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：150mOhm @ 21A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：8590 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：215 nC @ 10 V
- 上升时间：55 ns
- 漏源电压 (Vdss)：600 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：31 A
- 栅极至源极电压(Vgs)：30 V
- 漏极-源极导通最大电阻：0.15 Ω
- 漏源击穿电压：600 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：160 A
- 输入电容：8.59 nF
- DS 击穿电压-最小值：600 V
- 雪崩能量等级（Eas）：1200 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
- 漏源电阻：120 mΩ
- 最大rds：150 mΩ
- 宽度：25.4 mm
- 高度：9.6 mm
- 长度：38.2 mm
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：unknown
相关产品
