分立半导体 / JANTX2N3867S

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型号： JANTX2N3867S
厂商： MICROCHIP(美国微芯)
类别：分立半导体
封装： TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
描述： Trans GP BJT PNP 40V 3A 3-Pin TO-39
库存地点：内地
库存： 38
货期： 1 - 3 个工作日

个

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
表面安装：NO
底架：通孔
安装类型：通孔
包装/外壳：TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
引脚数：3
供应商器件包装：TO-39 (TO-205AD)
终端数量：3
晶体管元件材料：SILICON
Manufacturer Part Number：JANTX2N3867S
Rohs Code：无
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Part Package Code：BCY
Package Description：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Risk Rank：5.21
Number of Elements：1
Operating Temperature-Max：200 °C
Package Body Material：METAL
Package Shape：ROUND
Package Style：CYLINDRICAL
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Turn-off Time-Max (toff)：600 ns
Turn-on Time-Max (ton)：100 ns
RoHS：Non-Compliant
Package：Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)：3 mA
Base Product Number：2N3867
厂商：微芯片技术
Product Status：活跃
包装：Bulk
操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
系列：Military, MIL-PRF-19500/350
JESD-609代码：e0
无铅代码：无
ECCN 代码：EAR99
端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度：200 °C
最小工作温度：-55 °C
HTS代码：8541.29.00.95
最大功率耗散：1 W
技术：Si
端子位置：BOTTOM
终端形式：WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
引脚数量：2
参考标准：MIL-19500/350
JESD-30代码：O-MBCY-W3
资历状况：Qualified
极性：PNP
配置：SINGLE
功率耗散：1 W
箱体转运：COLLECTOR
功率 - 最大：1 W
晶体管应用：SWITCHING
极性/通道类型：PNP
晶体管类型：PNP
集电极发射器电压(VCEO)：40 V
最大集电极电流：3 A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：40 @ 1.5A, 2V
最大集极截止电流：100µA (ICBO)
JEDEC-95代码：TO-205AD
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：1.5V @ 250mA, 2.5A
电压 - 集射极击穿（最大值）：40 V
频率转换：-
集电极基极电压(VCBO)：40 V
发射极基极电压 (VEBO)：4 V
集电极电流-最大值(IC)：3 A
最小直流增益（hFE）：20
集电极-发射器电压-最大值：40 V
辐射硬化：无