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集成电路IC / HFU2N60
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： HFU2N60
- 厂商： Vishay Micro-Measurements(威势应变片)
- 类别： 集成电路IC
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：HFU2N60
- Part Life Cycle Code：接触制造商
- Ihs Manufacturer：SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO LTD
- Package Description：IN-LINE, R-PSIP-T3
- Risk Rank：5.76
- Drain Current-Max (ID)：1.8 A
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：IN-LINE
- Turn-off Time-Max (toff)：124 ns
- Turn-on Time-Max (ton)：88 ns
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PSIP-T3
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-251
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.8 A
- 漏极-源极导通最大电阻：5 Ω
- DS 击穿电压-最小值：600 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：44 W
- 反馈上限-最大值 (Crss)：3 pF
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