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集成电路IC / APT8024B2LLG
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: APT8024B2LLG
- 厂商: MICROCHIP(美国微芯)
- 类别: 集成电路IC
- 封装:
- 描述: Trans MOSFET N-CH 800V 31A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
- 库存地点: 内地
- 库存: 暂无库存
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装:NO
- 终端数量:3
- 晶体管元件材料:SILICON
- Manufacturer Part Number:APT8024B2LLG
- Rohs Code:有
- Part Life Cycle Code:活跃
- Ihs Manufacturer:MICROSEMI CORP
- Package Description:IN-LINE, R-PSIP-T3
- Risk Rank:1.33
- Drain Current-Max (ID):31 A
- Number of Elements:1
- Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
- Package Shape:RECTANGULAR
- Package Style:IN-LINE
- Reflow Temperature-Max (s):未说明
- JESD-609代码:e1
- 端子表面处理:锡银铜
- 端子位置:SINGLE
- 终端形式:THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:compliant
- 引脚数量:3
- JESD-30代码:R-PSIP-T3
- 配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式:增强型MOSFET
- 箱体转运:DRAIN
- 晶体管应用:SWITCHING
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 漏极-源极导通最大电阻:0.24 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM):124 A
- DS 击穿电压-最小值:800 V
- 雪崩能量等级(Eas):2500 mJ
- 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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