图片经供参考,以实物为准

集成电路IC / 02NF

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: 02NF
  • 厂商: Murata Electronics
  • 类别: 集成电路IC
  • 封装:
  • 描述:
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 暂无库存
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:8 Weeks
  • 表面安装:YES
  • 终端数量:8
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Manufacturer Part Number:NTMFD4902NFT1G
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:ON SEMICONDUCTOR
  • Part Package Code:DFN
  • Package Description:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
  • Manufacturer Package Code:506BX
  • Risk Rank:1.47
  • Drain Current-Max (ID):13.5 A
  • Moisture Sensitivity Levels:1
  • Number of Elements:2
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Package Style:小概要
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • JESD-609代码:e3
  • 无铅代码:
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Tin (Sn)
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:FLAT
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:not_compliant
  • 引脚数量:8
  • JESD-30代码:R-PDSO-F8
  • Brand Name:安森美半导体
  • 配置:SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
  • 操作模式:增强型MOSFET
  • 箱体转运:排水源头
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 极性/通道类型:N-CHANNEL
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID):23 A
  • 漏极-源极导通最大电阻:0.01 Ω
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM):60 A
  • DS 击穿电压-最小值:30 V
  • 雪崩能量等级(Eas):28.8 mJ
  • 场效应管技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • 最大耗散功率(Abs):3.45 W

采购询价