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集成电路IC / GT8Q101
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： GT8Q101
- 厂商： TOSHIBA(东芝)
- 类别： 集成电路IC
- 封装：
- 描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
- 库存地点： 内地
- 库存： 5268
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：GT8Q101
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Risk Rank：5.78
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Rise Time-Max (tr)：600 ns
- JESD-609代码：e0
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 附加功能：HIGH SPEED
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：COLLECTOR
- 晶体管应用：MOTOR CONTROL
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大耗散功率(Abs)：150 W
- 集电极电流-最大值(IC)：8 A
- 集电极-发射器电压-最大值：1200 V
- 栅极-发射极电压-最大值：20 V
- VCEsat-最大值：4 V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6 V
- 环境耗散-最大值：100 W
- 最大下降时间 (tf)：500 ns
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