图片经供参考,以实物为准

集成电路IC / FCX619QTA

  • 价格 起订量
  • ¥ 0 1+
  • ¥ 0 10+
  • ¥ 0 100+
  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: FCX619QTA
  • 厂商: Diodes Incorporated
  • 类别: 集成电路IC
  • 封装: SOT-89-3
  • 描述: Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 15000
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

  • 支付宝
  • 微信支付
  • 银联支付
  • 银行支付

包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:13 Weeks
  • 表面安装:YES
  • 包装/外壳:SOT-89-3
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件包装:SOT-89-3
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Manufacturer Part Number:FCX619QTA
  • Rohs Code:
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:DIODES INC
  • Risk Rank:5.73
  • Number of Elements:1
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Package Style:小概要
  • Reflow Temperature-Max (s):30
  • Transition Frequency-Nom (fT):165 MHz
  • Emitter- Base Voltage VEBO:8.3 V
  • Pd - Power Dissipation:2 W
  • Transistor Polarity:NPN
  • Maximum Operating Temperature:+ 150 C
  • DC Collector/Base Gain hfe Min:200 at 10 mA, 2 V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:240 mV
  • Unit Weight:0.001834 oz
  • Minimum Operating Temperature:- 55 C
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1000
  • Mounting Styles:SMD/SMT
  • Gain Bandwidth Product fT:165 MHz
  • Brand:Diodes Incorporated
  • Maximum DC Collector Current:6 A
  • RoHS:Details
  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max:65 V
  • Package:Tape & Reel (TR)
  • Current-Collector (Ic) (Max):3 A
  • 厂商:Diodes Incorporated
  • Product Status:活跃
  • 包装:MouseReel
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 系列:Automotive, AEC-Q101
  • JESD-609代码:e3
  • ECCN 代码:EAR99
  • 端子表面处理:Matte Tin (Sn)
  • 附加功能:HIGH RELIABILITY
  • 子类别:Transistors
  • 技术:Si
  • 端子位置:SINGLE
  • 终端形式:FLAT
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):260
  • Reach合规守则:compliant
  • 参考标准:AEC-Q101
  • JESD-30代码:R-PSSO-F3
  • 配置:SINGLE
  • 箱体转运:COLLECTOR
  • 功率 - 最大:700 mW
  • 晶体管应用:SWITCHING
  • 极性/通道类型:NPN
  • 产品类别:BJTs - Bipolar Transistors
  • 晶体管类型:NPN
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:300 @ 200mA, 2V
  • 最大集极截止电流:100nA
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):320mV @ 100mA, 2.75A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
  • 频率转换:165MHz
  • 集电极基极电压(VCBO):190 V
  • 集电极电流-最大值(IC):3 A
  • 最小直流增益(hFE):100
  • 连续集电极电流:3 A
  • 集电极-发射器电压-最大值:50 V
  • 产品类别:Bipolar Transistors - BJT

采购询价