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集成电路IC / 2N5115UB
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 1000+
- 型号： 2N5115UB
- 厂商： MICROCHIP(美国微芯)
- 类别： 集成电路IC
- 封装： 3-SMD, No Lead
- 描述： Trans JFET P-CH 30V 3-Pin UB
- 库存地点： 内地
- 库存： 5
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：3-SMD, No Lead
- 供应商器件包装：UB
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：2N5115UB
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Package Description：SURFACE MOUNT PACKAGE-3
- Risk Rank：5.12
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：200 °C
- Package Body Material：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：小概要
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Package：Bulk
- Base Product Number：2N5115
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Brand：微芯片技术
- RoHS：N
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：Military, MIL-PRF-19500
- 包装：Waffle
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- ECCN 代码：EAR99
- 类型：JFET
- 端子表面处理：锡铅
- HTS代码：8541.21.00.95
- 技术：Si
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-CDSO-N3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 操作模式：DEPLETION MODE
- 功率 - 最大：500 mW
- 场效应管类型：P-Channel
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：25pF @ 15V
- 漏源电压 (Vdss)：30 V
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- 产品类别：JFETs
- 漏极-源极导通最大电阻：100 Ω
- DS 击穿电压-最小值：30 V
- 场效应管技术：JUNCTION
- 最大耗散功率(Abs)：0.5 W
- 反馈上限-最大值 (Crss)：7 pF
- 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)：60 mA @ 15 V
- 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)：6 V @ 1 nA
- 电压 - 击穿 （V（BR）GSS）：30 V
- 电阻-RDS(On)：100 Ohms
- 产品类别：JFET
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