分立半导体 / MXUPT8e3

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型号： MXUPT8e3
厂商： MICROCHIP(美国微芯)
类别：分立半导体
封装： DO-216AA
描述： Diode TVS Single Uni-Direction 8V 1kW 2-Pin DO-216AA Bag
库存地点：内地
库存： 26
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
表面安装：YES
安装类型：表面贴装
包装/外壳：DO-216AA
供应商器件包装：Powermite 1 (DO216-AA)
二极管元件材料：SILICON
终端数量：1
Manufacturer Part Number：MXUPT8E3
Rohs Code：有
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Part Package Code：DO-216AA
Package Description：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, POWERMITE-2
Risk Rank：5.74
Moisture Sensitivity Levels：1
Number of Elements：1
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Package Shape：RECTANGULAR
Package Style：小概要
Power Dissipation (Max)：2.5 W
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Package：Bulk
Base Product Number：UPT8E3
厂商：微芯片技术
Product Status：活跃
Breakdown Voltage / V：9 V
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Vesd - Voltage ESD Contact：-
Minimum Operating Temperature：- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
Ipp - Peak Pulse Current：10.9 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation：150 W
Brand：微芯片技术
RoHS：Details
操作温度：-65°C ~ 150°C (TJ)
系列：-
JESD-609代码：e3
ECCN 代码：EAR99
类型：Zener
端子表面处理：哑光锡
应用：通用型
HTS代码：8541.10.00.50
子类别：TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
端子位置：DUAL
终端形式：鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
额定电流：2 uA
引脚数量：2
终端样式：SMD/SMT
JESD-30代码：R-PDSO-G1
资历状况：不合格
工作电压：8 V
极性：UNIDIRECTIONAL
配置：SINGLE
通道数量：1 Channel
二极管类型：跨压抑制二极管
箱体转运：ANODE
电源线保护：无
电压 - 击穿：9V
功率 - 脉冲峰值：1000W (1kW)
峰值脉冲电流（10/1000μs）：10.9A
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：13.7V
箝位电压：13.7 V
电压 - 反向断态（典型值）：8V
单向通道：1
产品类别：TVS 二极管
Rep Pk反向电压-最大值：8 V
JEDEC-95代码：DO-216AA
电容@频率：-
最大非代表峰值转速功率Dis：150 W
击穿电压-最小值：9 V
符合标准：RoHS Complaint
产品类别：ESD Suppressors / TVS Diodes