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集成电路IC / IRFS610B_FP001
- 价格 起订量
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- 型号： IRFS610B_FP001
- 厂商： Fairchild (ON Semiconductor)
- 类别： 集成电路IC
- 封装： TO-220-3 Full Pack
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-220-3 Full Pack
- 供应商器件包装：TO-220F
- Manufacturer Part Number：IRFS610B_FP001
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Risk Rank：5.84
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package：Bulk
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.3A (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：Fairchild Semiconductor
- Power Dissipation (Max)：22W (Tc)
- Product Status：活跃
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- JESD-609代码：e3
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 技术：MOSFET (Metal Oxide)
- Reach合规守则：not_compliant
- 配置：Single
- 操作模式：增强型MOSFET
- 场效应管类型：N-Channel
- Rds On(Max)@Id,Vgs：1.5Ohm @ 1.65A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：225 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：9.3 nC @ 10 V
- 漏源电压 (Vdss)：200 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.5 A
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：22 W
- 场效应管特性：-
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