简体中文
图片经供参考，以实物为准
集成电路IC / BSS8402DWT/R13
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： BSS8402DWT/R13
- 厂商： Panjit
- 类别： 集成电路IC
- 封装：
- 描述： Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.115A/0.13A 6-Pin SOT-363 T/R (Alt: BSS8402DW_R2_00001)
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：6
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：BSS8402DWT/R13
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：PAN JIT INTERNATIONAL INC
- Part Package Code：SC-70
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
- Risk Rank：5.06
- Drain Current-Max (ID)：0.115 A
- Number of Elements：2
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：小概要
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 附加功能：低阈值
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：6
- JESD-30代码：R-PDSO-G6
- 资历状况：不合格
- 配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.13 A
- 漏极-源极导通最大电阻：7 Ω
- DS 击穿电压-最小值：60 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：0.2 W
- 反馈上限-最大值 (Crss)：5 pF
相关产品
