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集成电路IC / 2SK2607
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： 2SK2607
- 厂商： TOSHIBA(东芝)
- 类别： 集成电路IC
- 封装：
- 描述： TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,9A I(D),TO-247VAR
- 库存地点： 内地
- 库存： 56
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：NO
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：2SK2607
- Rohs Code：无
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：TOSHIBA CORP
- Part Package Code：SC-65
- Package Description：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Risk Rank：8.75
- Drain Current-Max (ID)：9 A
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- JESD-609代码：e0
- 端子表面处理：Tin/Lead (Sn/Pb)
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
- 漏极-源极导通最大电阻：1.2 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：27 A
- DS 击穿电压-最小值：800 V
- 雪崩能量等级（Eas）：778 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：150 W
- 环境耗散-最大值：150 W
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