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集成电路IC / 0KT
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
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- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： 0KT
- 厂商： TIH Microelectronics(方寸微)
- 类别： 集成电路IC
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Manufacturer Part Number：TP0610K-T1-E3
- Rohs Code：有
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：VISHAY SILICONIX
- Part Package Code：SOT-23
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Risk Rank：1.44
- Samacsys Description：TP0610K-T1-E3, P-channel MOSFET Transistor 0.185 A 60 V, 3-Pin TO-236
- Drain Current-Max (ID)：0.185 A
- Moisture Sensitivity Levels：1
- Number of Elements：1
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Package Shape：RECTANGULAR
- Package Style：小概要
- Reflow Temperature-Max (s)：20
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：ESD PROTECTION, LOW THRESHOLD
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- 引脚数量：3
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：P-CHANNEL
- JEDEC-95代码：TO-236
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.185 A
- 漏极-源极导通最大电阻：6 Ω
- DS 击穿电压-最小值：60 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：0.35 W
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