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单相BJT晶体管 / KSA473YTSTUA

  • 价格 起订量
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  • ¥ 0 500+
  • ¥ 0 1000+
  • 型号: KSA473YTSTUA
  • 厂商: onsemi(安森美)
  • 类别: 单相BJT晶体管
  • 封装: TO-220-3
  • 描述: Trans GP BJT PNP 30V 3A 10000mW 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 2170
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 生命周期状态:EOL (Last Updated: 2 years ago)
  • 安装类型:通孔
  • 包装/外壳:TO-220-3
  • 表面安装:NO
  • 供应商器件包装:TO-220-3
  • 质量:2.270003 g
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Collector-Base Voltage:30(V)
  • Operating Temperature Classification:Military
  • Operating Temp Range:-55C to 150C
  • Category:双极电源
  • DC Current Gain:120@500MA@2V
  • Collector Current (DC):3(A)
  • Rad Hardened:
  • Number of Elements:1
  • Emitter-Base Voltage:5(V)
  • Transistor Polarity:PNP
  • Package Type:TO-220
  • Mounting:通孔
  • Package:Tube
  • Current-Collector (Ic) (Max):3 A
  • 厂商:onsemi
  • Product Status:Obsolete
  • Collector-Emitter Saturation Voltage:-300 mV
  • Manufacturer Lifecycle Status:LIFETIME (Last Updated: 2 years ago)
  • RoHS:Compliant
  • Package Style:FLANGE MOUNT
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Manufacturer Package Code:340AY
  • Operating Temperature-Max:150 °C
  • Transition Frequency-Nom (fT):100 MHz
  • Manufacturer Part Number:KSA473YTSTUA
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:安森美半导体
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:ON SEMICONDUCTOR
  • Risk Rank:1.49
  • 包装:Rail/Tube
  • 操作温度:150°C (TJ)
  • 系列:-
  • 无铅代码:
  • 最高工作温度:150 °C
  • 最小工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:10 W
  • 端子位置:SINGLE
  • 终端形式:THROUGH-HOLE
  • Reach合规守则:compliant
  • 频率:100(MHz)
  • 引脚数量:3 +Tab
  • JESD-30代码:R-PSFM-T3
  • Brand Name:安森美半导体
  • 极性:PNP
  • 配置:Single
  • 功率耗散:10(W)
  • 输出功率:Not Required(W)
  • 功率 - 最大:10 W
  • 晶体管应用:AMPLIFIER
  • 增益带宽积:100 MHz
  • 极性/通道类型:PNP
  • 晶体管类型:PNP
  • 集电极发射器电压(VCEO):-30 V
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce:120 @ 500mA, 2V
  • 最大集极截止电流:1µA (ICBO)
  • JEDEC-95代码:TO-220AB
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值):800mV @ 200mA, 2A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):30 V
  • 频率转换:100MHz
  • 集电极基极电压(VCBO):-30 V
  • 最大耗散功率(Abs):10 W
  • 发射极基极电压 (VEBO):-5 V
  • 集电极电流-最大值(IC):3 A
  • 最小直流增益(hFE):120
  • 集电极-发射器电压-最大值:30 V
  • VCEsat-最大值:0.8 V

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