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MOSFETs 晶体管阵列 / IXFN26N100P
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： IXFN26N100P
- 厂商： Littelfuse(美国力特)
- 类别： MOSFETs 晶体管阵列
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 1120
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- EU RoHS：符合免除
- Automotive：无
- PPAP：无
- Category：功率MOSFET
- Process Technology：HiperFET
- Channel Mode：Enhancement
- Number of Elements per Chip：1
- Maximum Drain Source Voltage (V)：1000
- Maximum Gate Source Voltage (V)：±30
- Maximum Continuous Drain Current (A)：23
- Maximum Drain Source Resistance (mOhm)：390@10V
- Typical Gate Charge @ Vgs (nC)：197@10V
- Typical Gate Charge @ 10V (nC)：197
- Typical Input Capacitance @ Vds (pF)：11.9@25V
- Maximum Power Dissipation (mW)：595000
- Typical Fall Time (ns)：50
- Typical Rise Time (ns)：45
- Typical Turn-Off Delay Time (ns)：72
- Typical Turn-On Delay Time (ns)：45
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- Mounting：Screw
- Package Width：25.42(Max)
- Package Length：38.23(Max)
- PCB changed：4
- Supplier Package：SOT-227B
- 零件状态：活跃
- 引脚数量：4
- 配置：单双源
- 信道型：N
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