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单片IGBT晶体管 / SIGC42T120CSX1SA2
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： SIGC42T120CSX1SA2
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装：
- 描述：
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
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银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态：NRND (Last Updated: 2 years ago)
- 包装数量：1
- EU RoHS：Compliant
- ECCN (US)：EAR99
- Automotive：无
- PPAP：无
- Maximum Gate Emitter Voltage (V)：±20
- Maximum Collector-Emitter Voltage (V)：1200
- Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)：3
- Maximum Continuous Collector Current (A)：25
- Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)：0.12
- Minimum Operating Temperature (°C)：-55
- Maximum Operating Temperature (°C)：150
- RoHS：Non-Compliant
- 包装：Wafer
- 零件状态：NRND
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 配置：Single
- 无卤素：无卤素
- 漏源电压 (Vdss)：1.2 kV
- 集电极发射器电压(VCEO)：1.2 kV
- 最大双电源电压：1.2 kV
- 信道型：N
- 无铅：无铅
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