简体中文
图片经供参考，以实物为准
单相BJT晶体管 - 预偏置 / PUMD9-QZ
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： PUMD9-QZ
- 厂商： Nexperia(安世)
- 类别： 单相BJT晶体管 - 预偏置
- 封装： TSSOP-6
- 描述： Bipolar Transistors - Pre-Biased PUMD9-Q/SOT363/SC-88
- 库存地点： 内地
- 库存： 16
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TSSOP-6
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件包装：6-TSSOP
- RoHS：Details
- Transistor Polarity：NPN, PNP
- Typical Input Resistor：10 kOhms
- Typical Resistor Ratio：4.7
- Mounting Styles：SMD/SMT
- DC Collector/Base Gain hfe Min：100
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：50 V
- Peak DC Collector Current：100 mA
- Pd - Power Dissipation：200 mW
- Minimum Operating Temperature：- 65 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Emitter- Base Voltage VEBO：6 V
- Qualification：AEC-Q101
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：10000
- Part # Aliases：934663629165
- Package：Tape & Reel (TR)
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Base Product Number：PUMD9
- 厂商：Nexperia USA Inc.
- Product Status：活跃
- 包装：MouseReel
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 配置：Single
- 功率耗散：300
- 功率 - 最大：200mW
- 晶体管类型：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：100 @ 5mA, 5V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：100mV @ 250µA, 5mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 频率转换：230MHz, 180MHz
- 电阻基(R1)：10kOhms
- 连续集电极电流：100
- 电阻-发射极基极(R2)：47kOhms
相关产品
