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单MOSFET晶体管 / BSC009NE2LSXT
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- 型号： BSC009NE2LSXT
- 厂商： Infineon Technologies
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TDSON-8
- 描述： MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
- 库存地点： 内地
- 库存： 暂无库存
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TDSON-8
- RoHS：Details
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：25 V
- Id - Continuous Drain Current：100 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：1 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：1 V
- Qg - Gate Charge：168 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：96 W
- Channel Mode：Enhancement
- Qualification：AEC-Q101
- Tradename：OptiMOS
- Fall Time：19 ns
- Forward Transconductance - Min：85 S
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：5000
- Typical Turn-Off Delay Time：48 ns
- Typical Turn-On Delay Time：10 ns
- Part # Aliases：SP000893362 BSC009NE2LSATMA1
- 包装：Reel
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 上升时间：33 ns
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 高度：1.27 mm
- 长度：5.9 mm
- 宽度：5.15 mm
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