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单MOSFET晶体管 / APT7F120B
- 价格 起订量
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- 型号： APT7F120B
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247View in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 161
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-247-3
- 底架：通孔
- 安装类型：通孔
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-247 [B]
- 质量：38.000013 g
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：1.2 kV
- Id - Continuous Drain Current：7 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：1.57 Ohms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：4 V
- Qg - Gate Charge：80 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：335 W
- Channel Mode：Enhancement
- Tradename：Power MOS 8
- Fall Time：13 ns
- Forward Transconductance - Min：8 S
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Typical Turn-Off Delay Time：45 ns
- Typical Turn-On Delay Time：14 ns
- Unit Weight：0.211644 oz
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：N-Channel
- Schedule B：8541290080
- Number of Elements：1
- Voltage Rating (DC)：1.2 kV
- Turn Off Delay Time：45 ns
- Package：Tube
- Base Product Number：APT7F120
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：7A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：335W (Tc)
- Product Status：活跃
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 1mA
- Package Description：ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT7F120B
- Package Shape：RECTANGULAR
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：5.3
- Part Package Code：TO-247AB
- Drain Current-Max (ID)：7 A
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- JESD-609代码：e1
- 无铅代码：有
- 零件状态：Production (Last Updated: 1 month ago)
- 电阻：2.4 Ω
- 端子表面处理：锡银铜
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 附加功能：雪崩 额定
- 最大功率耗散：335 W
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- 额定电流：6.6 A
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：335 W
- 接通延迟时间：14 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：2.9Ohm @ 3A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：2565 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：80 nC @ 10 V
- 上升时间：8 ns
- 漏源电压 (Vdss)：1.2 kV
- Vgs（最大值）：±30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 连续放电电流(ID)：7 A
- JEDEC-95代码：TO-247AB
- 栅极至源极电压(Vgs)：30 V
- 漏极-源极导通最大电阻：2.9 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：28 A
- 输入电容：2.565 nF
- DS 击穿电压-最小值：1200 V
- 雪崩能量等级（Eas）：575 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 场效应管特性：-
- 漏源电阻：1.57 Ω
- 最大rds：2.9 Ω
- 高度：5.31 mm
- 长度：21.46 mm
- 宽度：16.26 mm
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：unknown
- 无铅：无铅
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