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单片IGBT晶体管 / APT45GR65B
- 价格 起订量
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- 型号： APT45GR65B
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT Transistors FG, IGBT, 650V, 45A, TO-247View in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 32363
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-247-3
- 安装类型：通孔
- 表面安装：NO
- 供应商器件包装：TO-247
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：650 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.6 V
- Maximum Gate Emitter Voltage：- 30 V, + 30 V
- Continuous Collector Current at 25 C：118 A
- Pd - Power Dissipation：543 W
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Continuous Collector Current Ic Max：118 A
- Gate-Emitter Leakage Current：250 nA
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Tradename：Ultra Fast NPT-IGBT
- Unit Weight：1.340411 oz
- Package：Tube
- Current-Collector (Ic) (Max)：92 A
- Base Product Number：APT45GR65
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- Test Conditions：433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT45GR65B
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Risk Rank：2.26
- 包装：Tube
- 操作温度：-
- 系列：-
- ECCN 代码：EAR99
- Reach合规守则：compliant
- 配置：Single
- 功率耗散：543
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：357 W
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 工作温度范围：- 55 C to + 150 C
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 最大耗散功率(Abs)：357 W
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V, 45A
- 集电极电流-最大值(IC)：92 A
- 连续集电极电流：118 A
- IGBT类型：NPT
- 集电极-发射器电压-最大值：650 V
- 闸门收费：203 nC
- 集极脉冲电流（Icm）：168 A
- Td（开/关）@25°C：15ns/100ns
- 开关能量：900µJ (on), 580µJ (off)
- 栅极-发射极电压-最大值：30 V
- 栅极-发射极Thr电压-最大值：6.5 V
- 高度：5.31 mm
- 长度：21.46 mm
- 宽度：16.26 mm
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