图片经供参考,以实物为准

IGBT晶体管模块 / APTGT400A120G
- 价格 起订量
- ¥ 0 1+
- ¥ 0 10+
- ¥ 0 100+
- ¥ 0 500+
- ¥ 0 1000+
- 型号: APTGT400A120G
- 厂商: Microchip Technology
- 类别: IGBT晶体管模块
- 封装: SP6
- 描述: IGBT Modules CC6130View in Development Tools Selector
- 库存地点: 内地
- 库存: 2891
- 货期: 1 - 3 个工作日
个
总额¥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 生命周期状态:Production (Last Updated: 2 months ago)
- 包装/外壳:SP6
- 安装类型:底座安装
- 底架:Chassis Mount, Screw
- 表面安装:NO
- 引脚数:7
- 供应商器件包装:SP6
- 终端数量:7
- 晶体管元件材料:SILICON
- RoHS:Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1.2 kV
- Collector-Emitter Saturation Voltage:1.7 V
- Continuous Collector Current at 25 C:560 A
- Gate-Emitter Leakage Current:600 nA
- Pd - Power Dissipation:1.785 kW
- Minimum Operating Temperature:- 40 C
- Maximum Operating Temperature:+ 100 C
- Maximum Gate Emitter Voltage:20 V
- Mounting Styles:底座安装
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
- Unit Weight:3.880136 oz
- Package:Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max):560 A
- Base Product Number:APTGT400
- 厂商:微芯片技术
- Product Status:活跃
- Collector-Emitter Breakdown Voltage:1.2 kV
- Package Description:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
- Package Style:FLANGE MOUNT
- Moisture Sensitivity Levels:1
- Package Body Material:UNSPECIFIED
- Turn-on Time-Nom (ton):340 ns
- Turn-off Time-Nom (toff):620 ns
- Reflow Temperature-Max (s):未说明
- Operating Temperature-Max:150 °C
- Rohs Code:有
- Manufacturer Part Number:APTGT400A120G
- Package Shape:RECTANGULAR
- Number of Elements:2
- Part Life Cycle Code:活跃
- Ihs Manufacturer:MICROSEMI CORP
- Risk Rank:5.21
- 包装:Tube
- 操作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 系列:-
- JESD-609代码:e1
- 无铅代码:有
- ECCN 代码:EAR99
- 端子表面处理:锡银铜
- 最高工作温度:150 °C
- 最小工作温度:-40 °C
- 附加功能:雪崩 额定
- 最大功率耗散:1.785 kW
- 端子位置:UPPER
- 终端形式:UNSPECIFIED
- 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
- Reach合规守则:compliant
- 引脚数量:7
- JESD-30代码:R-XUFM-X7
- 资历状况:不合格
- 配置:Dual
- 元素配置:Dual
- 功率耗散:1.785
- 箱体转运:ISOLATED
- 功率 - 最大:1785 W
- 晶体管应用:电源控制
- 极性/通道类型:N-CHANNEL
- 输入:Standard
- 集电极发射器电压(VCEO):1.2 kV
- 最大集电极电流:560 A
- 最大集极截止电流:750 µA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
- 输入电容:28 nF
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V, 400A
- 集电极电流-最大值(IC):500 A
- 连续集电极电流:560
- IGBT类型:沟渠现场停车
- 集电极-发射器电压-最大值:1200 V
- NTC热敏电阻:无
- 输入电容(Cies)@Vce:28 nF @ 25 V
- 产品:IGBT硅模块
- 辐射硬化:无
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