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图片经供参考，以实物为准
单MOSFET晶体管 / APT84F50L
- 价格 起订量
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- 型号： APT84F50L
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装： TO-264-3
- 描述： MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-264View in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 23
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-264-3
- 安装类型：通孔
- 底架：通孔
- 表面安装：NO
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-264 [L]
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- RoHS：Details
- Mounting Styles：通孔
- Transistor Polarity：N-Channel
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：500 V
- Id - Continuous Drain Current：84 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：55 mOhms
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 30 V, + 30 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.5 V
- Qg - Gate Charge：340 nC
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：1.135 kW
- Channel Mode：Enhancement
- Fall Time：50 ns
- Forward Transconductance - Min：65 S
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Typical Turn-Off Delay Time：155 ns
- Typical Turn-On Delay Time：60 ns
- Unit Weight：0.352740 oz
- Package：Tube
- Base Product Number：APT84F50
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：84A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：1135W (Tc)
- Product Status：活跃
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：5V @ 2.5mA
- Schedule B：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
- Number of Elements：1
- Turn Off Delay Time：155 ns
- Package Description：TO-264, 3 PIN
- Package Style：FLANGE MOUNT
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-55 °C
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：APT84F50L
- Turn-on Time-Max (ton)：60 ns
- Package Shape：RECTANGULAR
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
- Turn-off Time-Max (toff)：155 ns
- Risk Rank：1.52
- Part Package Code：TO-264AA
- Drain Current-Max (ID)：84 A
- 包装：Tube
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：POWER MOS 8™
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 零件状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
- 端子表面处理：纯哑光锡
- 最高工作温度：150 °C
- 最小工作温度：-55 °C
- 附加功能：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
- 最大功率耗散：1.135 kW
- 端子位置：SINGLE
- 终端形式：THROUGH-HOLE
- JESD-30代码：R-PSFM-T3
- 资历状况：不合格
- 配置：Single
- 通道数量：1 Channel
- 操作模式：增强型MOSFET
- 功率耗散：1.135 kW
- 箱体转运：DRAIN
- 接通延迟时间：60 ns
- 场效应管类型：N-Channel
- 晶体管应用：SWITCHING
- Rds On(Max)@Id,Vgs：65mOhm @ 42A, 10V
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds：13500 pF @ 25 V
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs：340 nC @ 10 V
- 上升时间：70 ns
- 漏源电压 (Vdss)：500 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 晶体管类型：1 N-Channel
- 连续放电电流(ID)：84 A
- JEDEC-95代码：TO-264AA
- 栅极至源极电压(Vgs)：30 V
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：84 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.065 Ω
- 漏源击穿电压：500 V
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：270 A
- 输入电容：13.5 nF
- DS 击穿电压-最小值：500 V
- 雪崩能量等级（Eas）：1845 mJ
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：1135 W
- 最大结点温度（Tj）：150 °C
- 场效应管特性：-
- 漏源电阻：55 mΩ
- 最大rds：65 mΩ
- 反馈上限-最大值 (Crss)：185 pF
- 环境耗散-最大值：1135 W
- 高度：29.18 mm
- 辐射硬化：无
- 达到SVHC：unknown
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