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IGBT晶体管模块 / APTGT75DDA60T3G
- 价格 起订量
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- 型号： APTGT75DDA60T3G
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： SP3-32
- 描述： IGBT Modules DOR CC3116View in Development Tools Selector
- 库存地点： 内地
- 库存： 42
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：SP3-32
- 安装类型：底座安装
- 供应商器件包装：SP3
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：600 V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5 V
- Continuous Collector Current at 25 C：100 A
- Gate-Emitter Leakage Current：600 nA
- Pd - Power Dissipation：250 W
- Minimum Operating Temperature：- 40 C
- Maximum Operating Temperature：+ 100 C
- Maximum Gate Emitter Voltage：20 V
- Mounting Styles：底座安装
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：100 A
- Base Product Number：APTGT75
- 厂商：微芯片技术
- Product Status：活跃
- 包装：Tube
- 操作温度：-40°C ~ 175°C (TJ)
- 系列：-
- 配置：Dual
- 功率 - 最大：250 W
- 输入：Standard
- 最大集极截止电流：250 µA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V, 75A
- 连续集电极电流：100
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：有
- 输入电容(Cies)@Vce：4.62 nF @ 25 V
- 产品：IGBT硅模块
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