IGBT晶体管模块 / APT80GP60J

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型号： APT80GP60J
厂商： Microchip Technology
类别： IGBT晶体管模块
封装： ISOTOP-4
描述： IGBT Modules FG, IGBT, 600V, 80A, SOT-227View in Development Tools Selector
库存地点：内地
库存： 39
货期： 1 - 3 个工作日

个

总额￥ 0.00000

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
生命周期状态：Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳：ISOTOP-4
安装类型：底座安装
底架：Chassis Mount, Screw
表面安装：NO
引脚数：4
供应商器件包装：ISOTOP®
终端数量：4
晶体管元件材料：SILICON
RoHS：Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max：600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.2 V
Continuous Collector Current at 25 C：151 A
Gate-Emitter Leakage Current：100 nA
Pd - Power Dissipation：462 W
Minimum Operating Temperature：- 55 C
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Maximum Gate Emitter Voltage：20 V
Mounting Styles：SMD/SMT
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
Unit Weight：2.264236 oz
Package：Tube
Current-Collector (Ic) (Max)：151 A
Base Product Number：APT80GP60
厂商：微芯片技术
Product Status：活跃
Collector-Emitter Breakdown Voltage：600 V
Voltage Rating (DC)：600 V
Package Description：ISOTOP-4
Package Style：FLANGE MOUNT
Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)：87 ns
Manufacturer Package Code：ISOTOP
Turn-off Time-Nom (toff)：284 ns
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：150 °C
Rohs Code：有
Manufacturer Part Number：APT80GP60J
Package Shape：RECTANGULAR
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：活跃
Ihs Manufacturer：MICROSEMI CORP
Risk Rank：1.53
Part Package Code：ISOTOP
包装：Tube
操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
系列：POWER MOS 7®
JESD-609代码：e1
无铅代码：有
端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
最高工作温度：150 °C
最小工作温度：-55 °C
附加功能：低导通损耗
最大功率耗散：462 W
端子位置：UPPER
终端形式：UNSPECIFIED
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：unknown
额定电流：151 A
引脚数量：4
JESD-30代码：R-PUFM-X4
资历状况：不合格
配置：Single
元素配置：Single
箱体转运：ISOLATED
功率 - 最大：462 W
晶体管应用：电源控制
极性/通道类型：N-CHANNEL
输入：Standard
集电极发射器电压(VCEO)：600 V
最大集电极电流：151 A
最大集极截止电流：1 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：600 V
输入电容：9.84 nF
最大耗散功率(Abs)：462 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V, 80A
集电极电流-最大值(IC)：151 A
IGBT类型：PT
集电极-发射器电压-最大值：600 V
NTC热敏电阻：无
栅极-发射极电压-最大值：20 V
输入电容(Cies)@Vce：9.84 nF @ 25 V
产品：IGBT硅模块
辐射硬化：无
无铅：无铅