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存储器 / IS43TR16512BL-125KBLI-TR
- 价格 起订量
- ￥ 118.06219 1+
- ￥ 111.37942 10+
- ￥ 105.07493 100+
- ￥ 99.12729 500+
- ￥ 93.51631 1000+
- 型号： IS43TR16512BL-125KBLI-TR
- 厂商： Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
- 类别： 存储器
- 封装： FBGA-96
- 描述： DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s a. 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
- 库存地点： 内地
- 库存： 2000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 118.06219
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 工厂交货时间：8 Weeks
- 包装/外壳：FBGA-96
- 安装类型：表面贴装
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：96-TWBGA (10x14)
- 终端数量：96
- RoHS：Details
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Maximum Clock Frequency：800 MHz
- Supply Voltage-Min：1.283 V
- Minimum Operating Temperature：- 40 C
- Maximum Operating Temperature：+ 95 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2000
- Package：Tape & Reel (TR)
- 厂商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- Product Status：活跃
- Memory Types：Volatile
- Supply Voltage-Max：1.45 V
- Package Description：TFBGA,
- Package Style：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
- Moisture Sensitivity Levels：3
- Number of Words Code：512000000
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Operating Temperature-Min：-40 °C
- Reflow Temperature-Max (s)：10
- Operating Temperature-Max：95 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：IS43TR16512BL-125KBLI-TR
- Number of Words：536870912 words
- Supply Voltage-Nom (Vsup)：1.35 V
- Package Code：TFBGA
- Package Shape：RECTANGULAR
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
- Risk Rank：5.59
- 系列：IS43TR16512BL
- 包装：Reel
- 操作温度：-40°C ~ 95°C (TC)
- JESD-609代码：e1
- 类型：SDRAM - DDR3L
- 端子表面处理：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
- 附加功能：AUTO/SELF REFRESH
- 技术：SDRAM - DDR3L
- 电压 - 供电 ：1.283V ~ 1.45V
- 端子位置：BOTTOM
- 终端形式：BALL
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- 功能数量：1
- 端子间距：0.8 mm
- Reach合规守则：compliant
- JESD-30代码：R-PBGA-B96
- 电源电压-最大值(Vsup)：1.45 V
- 温度等级：INDUSTRIAL
- 电源电压-最小值(Vsup)：1.283 V
- 内存大小：8 Gbit
- 端口的数量：1
- 操作模式：SYNCHRONOUS
- 时钟频率：800 MHz
- 电源电流-最大值：150 mA
- 访问时间：20 ns
- 内存格式：DRAM
- 内存接口：Parallel
- 数据总线宽度：16 bit
- 组织结构：512 M x 16
- 座位高度-最大：1.2 mm
- 内存宽度：16
- 写入周期时间 - 字符、页面：15ns
- 记忆密度：8589934592 bit
- 内存IC类型：DDR DRAM
- 访问模式：多库页面突发
- 自我刷新：YES
- 组织的记忆：512M x 16
- 宽度：10 mm
- 长度：14 mm
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