简体中文
图片经供参考，以实物为准
分立半导体 / CMPT918TR
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
- ￥ 0 100+
- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： CMPT918TR
- 厂商： Central Semiconductor
- 类别： 分立半导体
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
- 库存地点： 内地
- 库存： 699999
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：SOT-23
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：50mA
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：未说明
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：无
- Transition Frequency-Nom (fT)：600 MHz
- Manufacturer Part Number：CMPT918TR
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Central Semiconductor Corp
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Risk Rank：5.07
- 操作温度：-65°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：--
- 包装：Tape & Reel (TR)
- JESD-609代码：e0
- 无铅代码：无
- 零件状态：活跃
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：锡铅
- HTS代码：8541.21.00.75
- 子类别：其他晶体管
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PDSO-G3
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE
- 功率 - 最大：350mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：20 @ 3mA, 1V
- 增益：11dB
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：15V
- 频率转换：600MHz
- 最大耗散功率(Abs)：0.35 W
- 集电极电流-最大值(IC)：0.05 A
- 最小直流增益（hFE）：20
- 集电极-发射器电压-最大值：15 V
- VCEsat-最大值：0.4 V
- 最高频段：超高频段
- 集电极-基极电容-最大值：3 pF
- 噪音数字(分贝类型@ f)：6dB @ 60MHz
- 功率增益-最小值(Gp)：11 dB
相关产品
