分立半导体 / BSM200GA120DN2

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型号： BSM200GA120DN2
厂商： Infineon(英飞凌)
类别：分立半导体
封装： 62 mm
描述： Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
库存地点：内地
库存： 1000
货期： 1 - 3 个工作日

个

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包装流程

1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输

产品属性产品问答

属性参考值
包装/外壳：62 mm
表面安装：NO
终端数量：5
晶体管元件材料：SILICON
Manufacturer Part Number：BSM200GA120DN2
Manufacturer：Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage：20 V
Pd - Power Dissipation：1550 W
Maximum Operating Temperature：+ 150 C
Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5 V
Unit Weight：1 lb
Minimum Operating Temperature：- 40 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：10
Continuous Collector Current at 25 C：300 A
Mounting Styles：底座安装
Part # Aliases：SP000100725 BSM200GA120DN2HOSA1
Brand：Infineon Technologies
RoHS：Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max：1200 V
Package Description：MODULE-5
Package Style：FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels：1
Package Body Material：UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)：210 ns
Turn-off Time-Nom (toff)：630 ns
Reflow Temperature-Max (s)：未说明
Operating Temperature-Max：150 °C
Rohs Code：有
Package Shape：RECTANGULAR
Number of Elements：1
Part Life Cycle Code：不推荐
Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank：7.69
Part Package Code：MODULE
包装：Tray
无铅代码：有
ECCN 代码：EAR99
类型：Single
子类别：IGBTs
技术：Si
端子位置：UPPER
终端形式：UNSPECIFIED
峰值回流焊温度（摄氏度）：未说明
Reach合规守则：compliant
引脚数量：5
JESD-30代码：R-XUFM-X5
资历状况：不合格
配置：Single
箱体转运：ISOLATED
电路型态：Single IGBT
极性/通道类型：N-CHANNEL
产品类别：IGBT模块
最大耗散功率(Abs)：1550 W
集电极电流-最大值(IC)：550 A
集电极-发射器电压-最大值：1200 V
栅极-发射极电压-最大值：20 V
VCEsat-最大值：3.2 V
产品：IGBT硅模块
产品类别：IGBT模块
宽度：61.4 mm
高度：36.5 mm
长度：106.4 mm
高度(毫米)：36.5 mm