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分立半导体 / BFP196WE6327
- 价格 起订量
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- 型号： BFP196WE6327
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 分立半导体
- 封装： SC-82A, SOT-343
- 描述： RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
- 库存地点： 内地
- 库存： 25000
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SC-82A, SOT-343
- 表面安装：YES
- 供应商器件包装：PG-SOT343-4
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Transistor Polarity：NPN
- Package：Bulk
- Current-Collector (Ic) (Max)：150mA
- 厂商：Infineon Technologies
- Product Status：活跃
- Package Style：小概要
- Moisture Sensitivity Levels：未说明
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Rohs Code：有
- Transition Frequency-Nom (fT)：7500 MHz
- Manufacturer Part Number：BFP196WE6327
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Rochester Electronics LLC
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：ROCHESTER ELECTRONICS LLC
- Risk Rank：5.62
- 操作温度：150°C (TJ)
- 系列：-
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- 端子表面处理：哑光锡
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 资历状况：COMMERCIAL
- 配置：SINGLE
- 箱体转运：COLLECTOR
- 功率 - 最大：700mW
- 晶体管应用：AMPLIFIER
- 极性/通道类型：NPN
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：70 @ 50mA, 8V
- 增益：12.5dB ~ 19dB
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
- 频率转换：7.5GHz
- 集电极电流-最大值(IC)：0.1 A
- 连续集电极电流：150
- 集电极-发射器电压-最大值：12 V
- 最高频段：L带
- 集电极-基极电容-最大值：1.4 pF
- 噪音数字(分贝类型@ f)：1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
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