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分立半导体 / BC847BQ-7-F
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- 型号： BC847BQ-7-F
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： 分立半导体
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, GREEN,PLASTIC PACKAGE-3
- 库存地点： 内地
- 库存： 24580
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供应商器件包装：SOT-23-3
- Transistor Polarity：NPN
- Emitter-Base Voltage：6(V)
- Operating Temperature Classification：Military
- Package Type：SOT-23
- Collector-Base Voltage：50(V)
- Category：双极小信号
- Operating Temp Range：-65C to 150C
- Collector Current (DC)：0.1(A)
- Number of Elements：1
- Rad Hardened：无
- Collector-Emitter Voltage：45(V)
- DC Current Gain：200
- Mounting：表面贴装
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Manufacturer：Diodes Incorporated
- Brand：Diodes Incorporated
- RoHS：Details
- Package：Tape & Reel (TR)
- Current-Collector (Ic) (Max)：100 mA
- Base Product Number：BC847
- 厂商：Diodes Incorporated
- Product Status：活跃
- 包装：卷带
- 操作温度：-65°C ~ 150°C (TJ)
- 系列：-
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 频率：300(MHz)
- 引脚数量：3
- 配置：Single
- 功率耗散：70
- 输出功率：Not Required(W)
- 功率 - 最大：310 mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：200 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流：15nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：600mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：45 V
- 转换频率：30
- 频率转换：300MHz
- 连续集电极电流：7
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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