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单MOSFET晶体管 / BSP296
- 价格 起订量
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- 型号： BSP296
- 厂商： Infineon(英飞凌)
- 类别： 单MOSFET晶体管
- 封装：
- 描述： Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOT-223, 4 PIN
- 库存地点： 内地
- 库存： 44689
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
支付宝
微信支付
银联支付
银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 表面安装：YES
- 终端数量：4
- 晶体管元件材料：SILICON
- Package Description：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Package Style：小概要
- Package Body Material：PLASTIC/EPOXY
- Reflow Temperature-Max (s)：40
- Operating Temperature-Max：150 °C
- Rohs Code：有
- Manufacturer Part Number：BSP296
- Package Shape：RECTANGULAR
- Manufacturer：Infineon Technologies AG
- Number of Elements：1
- Part Life Cycle Code：Obsolete
- Ihs Manufacturer：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Risk Rank：5.12
- Part Package Code：SOT-223
- Drain Current-Max (ID)：1.1 A
- JESD-609代码：e3
- 无铅代码：有
- ECCN 代码：EAR99
- 端子表面处理：Matte Tin (Sn)
- 附加功能：逻辑电平兼容
- HTS代码：8541.29.00.95
- 子类别：FET 通用电源
- 端子位置：DUAL
- 终端形式：鸥翼
- 峰值回流焊温度（摄氏度）：260
- Reach合规守则：compliant
- 引脚数量：4
- JESD-30代码：R-PDSO-G4
- 资历状况：不合格
- 配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- 操作模式：增强型MOSFET
- 箱体转运：DRAIN
- 晶体管应用：SWITCHING
- 极性/通道类型：N-CHANNEL
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A
- 漏极-源极导通最大电阻：0.7 Ω
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)：4.4 A
- DS 击穿电压-最小值：100 V
- 场效应管技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- 最大耗散功率(Abs)：1.8 W
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