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分立半导体 / 2SA1162-GR(F)

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  • 型号: 2SA1162-GR(F)
  • 厂商: TOSHIBA(东芝)
  • 类别: 分立半导体
  • 封装:
  • 描述: 150mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 2124
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:表面贴装
  • 表面安装:YES
  • 终端数量:3
  • 晶体管元件材料:SILICON
  • Number of Elements per Chip:1
  • Dimensions:1.1 x 2.9 x 1.5mm
  • Package Type:SOT-346 (SC-59)
  • Maximum Operating Temperature:+125 °C
  • Maximum Collector Emitter Voltage:50 V
  • Maximum DC Collector Current:150 mA
  • Maximum Operating Frequency:80 MHz
  • Minimum DC Current Gain:70
  • Package Description:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
  • Package Style:小概要
  • Package Body Material:PLASTIC/EPOXY
  • Reflow Temperature-Max (s):未说明
  • Operating Temperature-Max:125 °C
  • Rohs Code:
  • Transition Frequency-Nom (fT):80 MHz
  • Manufacturer Part Number:2SA1162-GR(F)
  • Package Shape:RECTANGULAR
  • Manufacturer:东芝美国电子元器件
  • Number of Elements:1
  • Part Life Cycle Code:Obsolete
  • Samacsys Description:Transistor Toshiba 2SA1162-GR(F) PNP Bipolar Transistor, 0.15 A, 50 V, 3-Pin SC-59
  • Ihs Manufacturer:TOSHIBA CORP
  • Risk Rank:5.6
  • ECCN 代码:EAR99
  • 附加功能:低噪音
  • HTS代码:8541.21.00.95
  • 子类别:其他晶体管
  • 端子位置:DUAL
  • 终端形式:鸥翼
  • 峰值回流焊温度(摄氏度):未说明
  • Reach合规守则:unknown
  • 引脚数量:3
  • JESD-30代码:R-PDSO-G3
  • 配置:SINGLE
  • 晶体管应用:AMPLIFIER
  • 极性/通道类型:PNP
  • 晶体管类型:PNP
  • JEDEC-95代码:TO-236
  • 最大耗散功率(Abs):0.15 W
  • 集电极电流-最大值(IC):0.15 A
  • 最小直流增益(hFE):200
  • 集电极-发射器电压-最大值:50 V
  • VCEsat-最大值:0.3 V
  • 集电极-基极电容-最大值:7 pF

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