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单相齐纳二极管 / CMZ36(TE12L,Q,M)

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  • 型号: CMZ36(TE12L,Q,M)
  • 厂商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 类别: 单相齐纳二极管
  • 封装: SOD-128
  • 描述: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 16401
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 工厂交货时间:12 Weeks
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:SOD-128
  • 供应商器件包装:M-FLAT (2.4x3.8)
  • 厂商:东芝半导体与存储
  • Package:Tape & Reel (TR)
  • Product Status:活跃
  • Impedance (Max) (Zzt):30 Ohms
  • Ir - Reverse Current:10 uA
  • Zz - Zener Impedance:30 Ohms
  • Ir - Maximum Reverse Leakage Current:10 uA
  • Pd - Power Dissipation:2 W
  • Maximum Operating Temperature:+ 150 C
  • Unit Weight:0.000811 oz
  • Minimum Operating Temperature:- 40 C
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:3000
  • Mounting Styles:SMD/SMT
  • Manufacturer:Toshiba
  • Brand:Toshiba
  • If - Forward Current:0.2 A
  • Vz - Zener Voltage:36 V
  • RoHS:Details
  • Voltage Temperature Coefficient:28 mV/C
  • Manufacturer Part Number:CMZ36(TE12LQM)
  • Part Life Cycle Code:活跃
  • Ihs Manufacturer:TOSHIBA CORP
  • Risk Rank:5.76
  • 系列:-
  • 操作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 包装:MouseReel
  • 容差:±10%
  • 子类别:Diodes & Rectifiers
  • Reach合规守则:unknown
  • 配置:Single
  • 二极管类型:泽纳电极
  • 反向泄漏电流@ Vr:10 μA @ 28.8 V
  • 功率耗散:2
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 200 mA
  • 功率 - 最大:2 W
  • 测试电流:9 mA
  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz):36 V
  • 产品类别:齐纳二极管
  • 电压允差:10 %
  • 齐纳电流:10 uA
  • Vf-正向电压:1.2 V
  • 产品类别:齐纳二极管
  • 宽度:2.4 mm
  • 高度:0.98 mm
  • 长度:3.8 mm

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