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IGBT晶体管模块 / VS-ENZ025C60N
- 价格 起订量
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- 型号： VS-ENZ025C60N
- 厂商： Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： EMIPAK
- 描述： POWER MODULE
- 库存地点： 内地
- 库存： 152
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：EMIPAK
- 厂商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Package：Box
- Product Status：活跃
- Vr - Reverse Voltage：600 V
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：600 V
- Typical Turn-On Delay Time：83 ns
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：2.6 V
- Pd - Power Dissipation：104 W
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 20 V, + 20 V
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：100
- Mounting Styles：压装
- Manufacturer：Vishay
- Brand：Vishay Semiconductors
- Rds On - Drain-Source Resistance：71 mOhms
- RoHS：Details
- Typical Turn-Off Delay Time：111 ns
- Id - Continuous Drain Current：26 A
- 系列：*
- 包装：Bulk
- 类型：PressFit Power Module
- 子类别：Discrete Semiconductor Modules
- 配置：1-Phase Bridge
- 上升时间：26 ns
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
- 产品：Diode Power Modules
- 产品类别：Discrete Semiconductor Modules
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