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单片IGBT晶体管 / BIDW50N65T
- 价格 起订量
- ￥ 0 1+
- ￥ 0 10+
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- ￥ 0 500+
- ￥ 0 1000+
- 型号： BIDW50N65T
- 厂商： Bourns Inc.
- 类别： 单片IGBT晶体管
- 封装： TO-247-3
- 描述： IGBT 650V 50A TRENCH TO-247-3L
- 库存地点： 内地
- 库存： 3034
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：通孔
- 包装/外壳：TO-247-3
- 供应商器件包装：TO-247
- 厂商：Bourns Inc.
- Package：Tube
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：100 A
- Test Conditions：400V, 50A, 10Ohm, 15V
- Base Product Number：BIDW50N
- Maximum Gate Emitter Voltage：±20V
- Package Type：TO-247
- Maximum Collector Emitter Voltage：650 V
- Pd - Power Dissipation：416 W
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.65 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：600
- Continuous Collector Current at 25 C：100 A
- Mounting Styles：通孔
- Manufacturer：Bourns
- Brand：Bourns
- Continuous Collector Current Ic Max：100 A
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：650 V
- 系列：-
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装：Tube
- 子类别：IGBTs
- 技术：Si
- 配置：Single Diode
- 输入类型：Standard
- 功率 - 最大：416 W
- 产品类别：IGBT晶体管
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V, 50A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- 闸门收费：123 nC
- 集极脉冲电流（Icm）：150 A
- Td（开/关）@25°C：37ns/125ns
- 开关能量：3mJ (on), 1.1mJ (off)
- 反向恢复时间(trr)：37.5 ns
- 产品类别：IGBT晶体管
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