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单相BJT晶体管 / ABC856A-HF
- 价格 起订量
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- 型号： ABC856A-HF
- 厂商： Comchip Technology
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 描述： AUTOMOTIVE TRANS PNP 80V 100MA S
- 库存地点： 内地
- 库存： 6
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供应商器件包装：SOT-23-3
- 厂商：芯片技术
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：100 mA
- Emitter- Base Voltage VEBO：5 V
- Transistor Polarity：PNP
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：125
- Collector-Emitter Saturation Voltage：650 mV
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：3000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Gain Bandwidth Product fT：100 MHz
- Manufacturer：芯片技术
- Brand：芯片技术
- DC Current Gain hFE Max：800
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：65 V
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 操作温度：-55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装：MouseReel
- 子类别：Transistors
- 技术：Si
- 配置：Single
- 功率 - 最大：250 mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：125 @ 2mA, 5V
- 最大集极截止电流：15nA (ICBO)
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：650mV @ 5mA, 100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：65 V
- 频率转换：100MHz
- 集电极基极电压(VCBO)：80 V
- 连续集电极电流：0.1 A
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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