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JFETs 晶体管 / MQ2N4857UB/TR

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  • 型号: MQ2N4857UB/TR
  • 厂商: Microchip Technology
  • 类别: JFETs 晶体管
  • 封装: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 描述: JFET
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 5
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 0.00000

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 包装/外壳:TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件包装:TO-18 (TO-206AA)
  • Product Status:活跃
  • Package:Tape & Reel (TR)
  • 厂商:微芯片技术
  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
  • Pd - Power Dissipation:1.8 W
  • Transistor Polarity:N-Channel
  • Maximum Operating Temperature:+ 200 C
  • Minimum Operating Temperature:- 65 C
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:1
  • Drain-Source Current at Vgs=0:100 mA
  • Mounting Styles:通孔
  • Manufacturer:Microchip
  • Brand:微芯片技术
  • Rds On - Drain-Source Resistance:40 Ohms
  • Maximum Drain Gate Voltage:40 V
  • RoHS:Details
  • Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage:- 40 V
  • Gate-Source Cutoff Voltage:- 6 V
  • 操作温度:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • 系列:-
  • 子类别:Transistors
  • 技术:Si
  • 配置:Single
  • 功率 - 最大:360 mW
  • 场效应管类型:N-Channel
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:18pF @ 10V
  • 漏源电压 (Vdss):40 V
  • 产品类别:JFETs
  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0):20 mA @ 15 V
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off):2 V @ 500 pA
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS):40 V
  • 电阻-RDS(On):40 Ohms
  • 产品类别:JFET

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