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单相BJT晶体管 / 2N4998
- 价格 起订量
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- 型号： 2N4998
- 厂商： Microchip Technology
- 类别： 单相BJT晶体管
- 封装： TO-210AA, TO-59-4, Stud
- 描述： POWER BJT
- 库存地点： 内地
- 库存： 2146
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：TO-210AA, TO-59-4, Stud
- 安装类型：Stud Mount
- 底架：Stud
- 引脚数：3
- 供应商器件包装：TO-59
- 终端数量：3
- 晶体管元件材料：SILICON
- Current-Collector (Ic) (Max)：2 A
- Product Status：活跃
- Package：Bulk
- 厂商：微芯片技术
- Power Dissipation (Max)：35 W
- RoHS：Non-Compliant
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：1
- Manufacturer：Microchip
- Brand：微芯片技术
- Package Description：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X3
- Package Style：POST/STUD MOUNT
- Package Body Material：METAL
- Manufacturer Part Number：2N4998
- Package Shape：ROUND
- Part Life Cycle Code：活跃
- Ihs Manufacturer：NEW JERSEY SEMICONDUCTOR PRODUCTS INC
- Risk Rank：5.77
- 操作温度：-65°C ~ 200°C (TJ)
- 系列：-
- 子类别：Transistors
- 端子位置：UPPER
- 终端形式：UNSPECIFIED
- Reach合规守则：unknown
- JESD-30代码：O-MUPM-X3
- 极性：NPN
- 功率耗散：35 W
- 功率 - 最大：35 W
- 极性/通道类型：NPN
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：NPN
- 集电极发射器电压(VCEO)：80 V
- 最大集电极电流：2 A
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：-
- 最大集极截止电流：-
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：850mV @ 200μA, 1mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V
- 频率转换：-
- 集电极电流-最大值(IC)：2 A
- 集电极-发射器电压-最大值：80 V
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
- 辐射硬化：无
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