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IGBT晶体管模块 / VS-GT75YF120NT
- 价格 起订量
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- ￥ 0 1000+
- 型号： VS-GT75YF120NT
- 厂商： Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别： IGBT晶体管模块
- 封装： Module
- 描述： ECONO - 4 PACK IGBT
- 库存地点： 内地
- 库存： 2839
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：底座安装
- 包装/外壳：Module
- 供应商器件包装：-
- 厂商：Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Package：Box
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：118 A
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：1.2 kV
- RoHS：Details
- Brand：Vishay Semiconductors
- Manufacturer：Vishay
- Mounting Styles：螺钉安装
- Continuous Collector Current at 25 C：118 A
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：12
- Minimum Operating Temperature：- 40 C
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.2 V
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Pd - Power Dissipation：431 W
- Maximum Gate Emitter Voltage：- 20 V, + 20 V
- 系列：-
- 操作温度：-40°C ~ 150°C (TJ)
- 包装：Bulk
- 子类别：IGBTs
- 技术：Si
- 配置：全桥
- 功率 - 最大：431 W
- 输入：Standard
- 产品类别：IGBT晶体管
- 最大集极截止电流：100 μA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V, 75A
- IGBT类型：沟渠现场停车
- NTC热敏电阻：有
- 产品类别：IGBT晶体管
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