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MOSFETs 晶体管阵列 / DMN6070SSDQ-13

  • 价格 起订量
  • ¥ 1.46943 1+
  • ¥ 1.38625 10+
  • ¥ 1.30779 100+
  • ¥ 1.23376 500+
  • ¥ 1.16392 1000+
  • 型号: DMN6070SSDQ-13
  • 厂商: Diodes Incorporated
  • 类别: MOSFETs 晶体管阵列
  • 封装: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 描述: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
  • 库存地点: 内地
  • 库存: 9200
  • 货期: 1 - 3 个工作日
  个
总额¥ 1.46943

付款方式

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包装流程

  • 1.产品检查
  • 2.塑料封装
  • 3.防静电保护
  • 4.包装入箱
  • 5.贴条形码
  • 6.出库运输
产品属性 产品问答
  • 属性参考值
  • 安装类型:表面贴装
  • 包装/外壳:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供应商器件包装:8-SO
  • 厂商:Diodes Incorporated
  • Package:Tape & Reel (TR)
  • Product Status:活跃
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃:2.7A (Ta)
  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity:2500
  • Manufacturer:Diodes Incorporated
  • Brand:Diodes Incorporated
  • RoHS:Details
  • 系列:Automotive, AEC-Q101
  • 操作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 包装:MouseReel
  • 子类别:MOSFETs
  • 技术:Si
  • 功率 - 最大:1.2W (Ta)
  • 场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
  • Rds On(Max)@Id,Vgs:87mOhm @ 4.5A, 10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds:588pF @ 30V
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs:12.3nC @ 10V
  • 漏源电压 (Vdss):60V
  • 产品类别:MOSFET
  • 场效应管特性:Standard
  • 产品类别:MOSFET