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BJT 晶体管阵列 / DXTP3C100PD-13
- 价格 起订量
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- ￥ 4.76946 100+
- ￥ 4.49949 500+
- ￥ 4.24480 1000+
- 型号： DXTP3C100PD-13
- 厂商： Diodes Incorporated
- 类别： BJT 晶体管阵列
- 封装： 8-PowerTDFN
- 描述： PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
- 库存地点： 内地
- 库存： 2981
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 5.35897
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件包装：PowerDI5060-8 (Type UXD)
- 厂商：Diodes Incorporated
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：3A
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2500
- Manufacturer：Diodes Incorporated
- Brand：Diodes Incorporated
- 系列：-
- 操作温度：-55°C ~ 175°C (TJ)
- 包装：切割胶带
- 子类别：Transistors
- 功率 - 最大：1.76W
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors
- 晶体管类型：2 PNP (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：170 @ 500mA, 10V
- 最大集极截止电流：100nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：325mV @ 200mA, 2A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：100V
- 频率转换：100MHz
- 产品类别：Bipolar Transistors - BJT
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