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RF MOSFETs 晶体管 / A5G23H065NT4
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- 型号： A5G23H065NT4
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： 6-LDFN Exposed Pad
- 描述： AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
- 库存地点： 内地
- 库存： 6
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：6-LDFN Exposed Pad
- 供应商器件包装：6-PDFN (7x6.5)
- 厂商：NXP USA Inc.
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Voltage Rated：125 V
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：125 V
- Transistor Polarity：Dual N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Id - Continuous Drain Current：5.2 mA
- 系列：-
- 额定电流：-
- 技术：GaN Si
- 频率：2.3GHz ~ 2.4GHz
- 工作频率：2300 MHz to 2400 MHz
- 输出功率：8.8 W
- 测试电流：30 mA
- 晶体管类型：-
- 增益：15.5dB
- 功率 - 输出：8.8W
- 噪声图：-
- 电压-测试：48 V
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