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RF MOSFETs 晶体管 / A5G35H120NT2
- 价格 起订量
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- 型号： A5G35H120NT2
- 厂商： NXP USA Inc.
- 类别： RF MOSFETs 晶体管
- 封装： 10-PowerLDFN
- 描述： AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
- 库存地点： 内地
- 库存： 5
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 包装/外壳：10-PowerLDFN
- 供应商器件包装：10-DFN (7x10)
- 厂商：NXP USA Inc.
- Package：Tape & Reel (TR)
- Product Status：活跃
- Voltage Rated：125 V
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：125 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：- 4.6 V
- Shipping Restrictions：This product may require additional documentation to export from the United States.
- Transistor Polarity：N-Channel
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- Vgs - Gate-Source Voltage：- 8 V
- Minimum Operating Temperature：- 55 C
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：2000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Part # Aliases：935432729518
- Manufacturer：NXP
- Brand：恩智浦半导体
- RoHS：Details
- Id - Continuous Drain Current：10 mA
- Rds On - Drain-Source Resistance：-
- 系列：-
- 包装：切割胶带
- 类型：射频功率MOSFET
- 子类别：MOSFETs
- 额定电流：-
- 技术：GaN Si
- 频率：3.3GHz ~ 3.7GHz
- 工作频率：3300 MHz to 3700 MHz
- 通道数量：1 Channel
- 输出功率：18 W
- 测试电流：70 mA
- 产品类别：射频MOSFET晶体管
- 晶体管类型：-
- 增益：14.1dB
- 功率 - 输出：18W
- 噪声图：-
- 电压-测试：48 V
- 产品类别：射频MOSFET晶体管
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