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BJT 晶体管阵列 - 预偏置 / RN4908FE,LXHF(CT
- 价格 起订量
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- 型号： RN4908FE,LXHF(CT
- 厂商： Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别： BJT 晶体管阵列 - 预偏置
- 封装： SOT-563, SOT-666
- 描述： AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
- 库存地点： 内地
- 库存： 7986
- 货期： 1 - 3 个工作日
个
总额￥ 0.00000
付款方式
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银行支付
包装流程
1.产品检查
2.塑料封装
3.防静电保护
4.包装入箱
5.贴条形码
6.出库运输
产品属性 产品问答
- 属性参考值
- 安装类型：表面贴装
- 包装/外壳：SOT-563, SOT-666
- 供应商器件包装：ES6
- 厂商：东芝半导体与存储
- Product Status：活跃
- Current-Collector (Ic) (Max)：100mA
- Qualification：AEC-Q200
- Emitter- Base Voltage VEBO：7 V
- Typical Resistor Ratio：0.468
- Pd - Power Dissipation：100 mW
- Transistor Polarity：NPN, PNP
- Maximum Operating Temperature：+ 150 C
- DC Collector/Base Gain hfe Min：80 at 10 mA, 5 V
- Typical Input Resistor：22 kOhms
- Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity：4000
- Mounting Styles：SMD/SMT
- Part # Aliases：RN4908FE,LXHF(CB
- Manufacturer：Toshiba
- Brand：Toshiba
- Maximum Operating Frequency：200 MHz, 250 MHz
- RoHS：Details
- Collector- Emitter Voltage VCEO Max：50 V
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：MouseReel
- 子类别：Transistors
- 配置：Dual
- 功率 - 最大：100mW
- 产品类别：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- 晶体管类型：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce：80 @ 10mA, 5V
- 最大集极截止电流：500nA
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）：300mV @ 250μA, 5mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：50V
- 频率转换：200MHz, 250MHz
- 电阻基(R1)：22kOhms
- 连续集电极电流：100 mA
- 电阻-发射极基极(R2)：47kOhms
- 产品类别：Bipolar Transistors - Pre-Biased
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